RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
71
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
71
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1650
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link