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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
71
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
71
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
1650
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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