RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link