RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link