RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
55
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
55
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.8
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2293
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link