RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2994
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link