RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2925
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link