RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2925
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link