RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3167
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link