RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2231
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link