RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Причины выбрать
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 25
    Около -19% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 16.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 17.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 2814

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Сравнения RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
модули RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
модули RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
модули RAM