RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2699
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link