RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3422
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link