RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3505
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link