RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3860
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link