RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3860
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link