RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3783
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link