RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
76
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1624
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link