RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
76
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1624
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link