RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3081
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link