RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3081
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link