RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3254
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link