RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Good Wealth Technology Ltd. 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
25
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3211
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link