RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2695
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link