RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
7.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1512
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link