RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2572
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link