RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2452
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link