RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3220
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link