RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3220
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link