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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
27
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
19
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3220
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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