RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link