RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
64
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2197
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link