RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
10.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2237
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link