RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3113
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link