RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
74
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1925
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link