RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2432
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link