RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
43
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2600
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link