RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2925
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link