RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2427
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link