Comparação RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Pontuação geral

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.9 14.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 43

Por volta de -72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.9 9.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2506 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns