Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,123.3 14.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 59

Около -90% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 31
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 18.0
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 3497

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston 9905678-043.A00G 8GB

Kingston 9905678-043.A00G 8GB

модули RAM