RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3497
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link