RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
94
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
94
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1390
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link