RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
59
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
49
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2801
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link