RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
59
Autour de -20% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
49
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2801
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link