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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
12.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
59
周辺 -20% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
49
読み出し速度、GB/s
4,833.8
18.3
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
12.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
2801
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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