RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
59
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3283
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link