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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3283
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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