RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3283
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link