RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
59
Около -90% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3142
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link