RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2963
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS256MSK64V3N 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link