RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2591
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link