RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3832
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link