RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
69
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3178
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link